王占國，男，1938年12月生，河南鎮平人，半導體材料與材料物理學家，中國科學院院士，中國科學院半導體研究所研究員、博士生導師。
王占國 1962 年畢業於南開大學物理系，同年到中國科學院半導體研究所工作。歷任中國科學院半導體研究所副所長、國家高技術新材料領域專家委員會委員、國家高技術新材料領域專家委員會常委、功能材料專家組組長。
王占國長期從事半導體材料的光電性能、半導體深能級與光譜物理研究、砷化鎵材料與器件關系研究、半導體低維結構材料與量子器件研究。
中文名：王占國
國籍：中國：中國
民族：漢族
出生地：河南省南陽市
：河南省南陽市
出生日期1938 年 12 月 29 日
職業： 教育科學家
出生日期： 1938 年 12 月 29 日教育科學家
畢業於南開大學
主要成就：中國科學院院士（1995 年當選）
代表作：《納米半導體技術》
個人經歷
王占國，1938年12月生於河南省鎮平縣，中國科學院院士。
1962年畢業於南開大學物理系，同年到中國科學院半導體研究所工作。
1980年至1983年，王院士赴瑞典隆德大學固體物理系從事深能級物理和光譜物理研究。
1986年，任中國科學院半導體研究所研究員、材料室主任。
1990年至1994年，任中國科學院半導體研究所副所長。
主要成就
科研成果
據中國科學院半導體研究所2020年6月官方網站介紹，王占國長期從事半導體材料和材料物理研究。1980年以來，他主要從事半導體深能級物理和光譜物理研究，提出了鑒別兩個深能級****，是否為具有相同-缺陷的不同能態的新方法，解決了國際上長期爭論的砷化鎵中A能級和B能級、矽中Au受體能級和Au西格碼能級的性質問題。提出了混合晶體半導體中深能級展寬和譜線分裂的物理模型，並解釋了其物理原因。提出了砷化鎵電補償的五能級模型和新的電補償標準。協助林蘭英先生首次在太空中從熔體中生長出砷化鎵單片產品，並對其光電特性進行了系統研究。近年來，他領導的實驗組還在應變自組裝In(Ga)As/GaAs、In(Ga)As/InAlAs/InP等量子點（線）和量子點（線）超晶格材料以及量子級聯激光器和探測器材料生長方面取得突破，並研制出大功率量子點激光器、量子級聯激光器和探測器以及太赫茲激光器。最近，柔性襯底的概念被提出，為大失配材料系統的發展開辟了新方向。
據中國科學院半導體研究所官網2020年6月的數據，王振耀與合作者在國際學術期刊上發表論文200余篇。
1.王占國，陳立權，塗海玲.中國材料工程大辭典（第11-13卷）》。化學工業出版社，2006 年：
2.王占國、陳春海、葉小玲等：《納米半導體技術》。北京：化學工業出版社，2006：化學工業出版社，2006。
3.王占國，鄭友等。半導體材料研究進展》.北京：高等教育出版社，2012：
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9.BaochangCheng,ZhanguoWang(Z.G.Wang)Y.H. Chenetal,SitecontrollingofInAsquantumwiresoncleavededgeofAlGaAs/GaAssuperlattice,Nanotechnology,2005,16(8):1379
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15.W.Lei,Y.H.Chen,ZhanguoWang(Z.G.Wang),Reviewpaper:OrderingofSelf- AssembledQuantumWiresonInP(001)Surfaces.One-DimensionalNanostructures,Chapter12:291,Springer.Editor:Z.M.Wang.2007.
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人才培養
王占國的科研體會：壹是作為科技工作者，要實事求是，堅持真理；二是不盲從權威，敢於挑戰科學難題；三是要有不恥下問、打破砂鍋問到底的精神。
據中國科學院半導體研究所官網2020年6月的數據顯示，王建民已培養碩士、博士、博士後100余人。
榮譽
1995年當選為中國科學院院士。
2001年獲何梁何利科技進步獎。
社會職務
王占國曾任國家高新材料領域專家委員會委員、常務委員、功能材料專家組組長。
據西安交通大學官網2020年6月消息，王占國曾任半導體材料科學重點實驗室學術委員會主任、中國電子學會半導體與集成技術分會主任、中國材料研究學會副理事長、國家自然科學基金委員會副主任、國家自然科學基金重大研究計劃 "光電信息功能材料 "專家組副組長，北京市人民政府第八屆專家顧問組顧問，多個國際會議的顧問委員會成員，多所大學的特聘教授和兼職教授。
個人評價
王院士在半導體材料和材料物理領域取得了突出成就。早年致力於人造衛星用矽太陽能電池的輻照效應，以及電子材料、器件和組件的靜態、動態和核瞬態輻照效應的研究，為我國的兩彈壹星做出了貢獻。(中國科學院半導體研究所）
王占國院士系統創新，為我國半導體材料和材料物理研究做出了突出貢獻，具有鍥而不舍、銳意進取的科學精神和愛國奉獻、平易近人的優秀品質，為我院學科發展、國家科學思想庫建設和青年科技人才培養做出了突出成績。(中國科學院院長、黨組書記白春禮評價）
"近60年來，王占國院士在半導體材料科學研究等方面取得了壹系列重大成就，為國家半導體科學技術的發展做出了突出貢獻；王占國院士心系國家和半導體事業的發展，為我國科技事業和半導體所的發展嘔心瀝血 王占國院士以教育為己任，甘為人梯，發揚光大，為國家培養和造就了大批優秀科技人才。他還回憶了1993年考入半導體所讀博士時，王占國院士對他的深切教誨，指出王占國院士堅持真理的科學精神、報效祖國的愛國情懷、淡泊名利的高尚品格為我們樹立了榜樣，是我們後來人的寶貴財富。"(中科院副院長、中國科學院大學黨委書記、校長李樹深院士點評）
"60多年來，王院士以強烈的事業心、責任感和使命感，把自己的知識、經驗和成果毫無保留地奉獻和傳授給年輕壹代，為我國半導體材料學科建設和科技創新做出了突出貢獻，為促進人才培養做出了卓越貢獻。促進人才培養做出了突出貢獻"。(中國科學院半導體研究所副所長朱寧華點評）