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哪些因素與光量子效率無關?

內部量子效率和自身材料有關,外部量子效率也應該和自身材料有關。根據計算公式,外量子效率由其折射率決定,無關因素很多,只要排除以上即可。

通過構建優良的選擇性氣體吸附性能的催化劑,改變反應物和產物在催化劑表面的吸附、脫附和活化性能,可以提高CO2的吸附能力,並及時脫附產物CH4,顯著提高反應效率。

將太陽能分頻利用,光熱耦合,解決了太陽能利用率低的問題。外磁場抑制了光生電子和空穴的復合,提高了光量子的利用效率和CO2的轉化率。通過交變磁場對整體式催化劑的磁感應加熱作用,實現催化劑的定點、定位和高效加熱,提高光催化反應性能。

光量子芯片

與傳統的矽基芯片相比,光量子芯片無論是傳輸效率還是功耗都有了很大的提升。目前全球市場使用的是矽基芯片,這是美國科學家在20世紀60年代左右開發的。得益於技術的穩定,在全球範圍內也形成了完整的產業鏈。

國內企業可以分兩步走。壹個是加大對全新半導體材料研發的投入,因為這是我們能夠完全實現芯片自主國產化的唯壹因素,石墨烯芯片、光量子芯片等核心技術的不斷突破足以證明我們有這樣的實力。

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