摻雜和缺陷都會增加導帶中的電子濃度。對於鍺和矽基半導體材料，摻雜ⅴ族元素(磷、砷、銻等。)，當雜質原子取代晶格中的鍺和矽原子時，除了價鍵的配位外，還可以提供壹個額外的電子，形成半導體中導帶電子濃度的增加。這種雜質原子稱為施主。ⅲ-ⅴ族化合物半導體的施主往往使用ⅳ或ⅵ族元素。有些氧化物半導體，如ZnO、Ta2O5等，在化學成分上往往是缺氧的，這些氧空位可以表現出施主的作用，所以這類氧化物通常具有電子導電性，即N型半導體。真空加熱可以進壹步增強缺氧程度，表現出更強的電子導電性。
p型半導體的等效結構
p型半導體是通過向半導體中摻雜受主雜質而獲得的。
如果雜質是周期表第三族的元素-受主雜質，如硼或銦，它們的價電子帶只有三個電子，它們的導帶的最小能級低於第四族元素的傳導電子的能級。因此，電子可以更容易地從鍺或矽的價帶跳到硼或銦的導帶。在這個過程中，由於電子的損失，產生了壹個正離子。因為它是其他電子的“空位”，所以通常被稱為“空穴”，這種材料被稱為“P”型半導體。這類材料中的導電主要是由帶正電荷的空穴引起的，所以在這種情況下電子是“少數載流子”。