在這個過程中,臺積電的7nm工藝也讓客戶受益匪淺。比如AMD靠臺積電的7nm工藝翻身,聯發科這兩年推出的處理器也穩定很多。甚至英特爾也在尋找臺積電的代工廠商。
雖然臺積電的5nm工藝已經實現量產,但是7nm工藝仍然占據著不可忽視的地位。現在臺積電壹舉突破了7nm工藝的極限,做出了集成超過600億個晶體管的芯片。
最近,英國人工智能芯片公司Graphcore發布了壹款IPU產品Bow。根據官方介紹,這款弓IPU與上壹代相比,性能提升了40%,能耗比提升了16%,動力效率提升了16%。
臺積電是Bow IPU的代工廠,但這款IPU性能的整體提升並不是基於更先進的工藝,而是基於與上壹代IPU相同的臺積電7nm工藝。
之所以能有如此大的提升,是因為這款IPU采用了3D WoW矽片堆疊技術,從而實現了性能和能耗比的全面提升。
作為全球首款采用臺積電3D WoW技術的芯片,Bow IPU證明了芯片性能的提升不壹定需要升級工藝,也需要升級封裝技術,向高級封裝轉移。
得益於臺積電的3WOW技術,Bow IPU單個封裝中的晶體管數量達到了前所未有的新高度,超過600億個晶體管,這是壹個非常驚人的進步。
據官方介紹,Bow IPU的變化在於芯片3D封裝,晶體管規模增大,運算能力和吞吐能力提升。具有350萬億次的人工智能計算性能,是上壹代的1.4倍,吞吐量從47.5TB提升到65TB。
從這款Bow IPU芯片的升級可以看出,過去我們認為芯片性能的提升很大程度上取決於工藝的進步。現在,其實有新的方向可以選擇。
隨著工藝的不斷升級,目前的技術已經逼近物理極限,摩爾定律逐漸失效。業界不得不通過尋找新的技術方向來延續摩爾定律,而3D封裝正是被業界廣泛看好的方向。
事實上,3D封裝也是中國本土晶圓技術的正確方向。由於中國大陸在購買先進的光刻機方面的不足,芯片性能在某種程度上是不夠的。
雖然SMIC有能力征服7納米工藝,但沒有先進的掩模對準器,壹切都是零。在此背景下,如果在28納米和14納米工藝中使用3D封裝技術,可以有效提高性能和能耗比。
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