切頂角六方雙錐、球花多級結構的γ-In Se 的形貌影響，並通過對所制備產物的 2 3
進行表征和分析，探明球花多級結構的γ-In Se 生長機理。主要內容總結如下： 2 3 1.以四水合氯化銦，硒粉，乙醇為原料，在220 ?C 下反應20 h 可以得到純 相的γ-In Se 。反應溫度，反應時間，反應物原料比例和濃度對產物的純相合成 2 3 影響較大。當InCl : Se 粉的比例為1 : 1時產物不僅有γ-In Se ，還有β-In Se 和 3 2 3 2 3 InSe ；InCl : Se 粉的比例為2: 3 時，產物是γ-In Se 和Se 的混合物；高的InCl : 3 2 3 3 Se 粉的比例（4: 1 ）有利於得到純相；溫度低於220 ?C 時，Se 粉未能完全反應； 時間少於12 h 時產物中也有硒粉未反應完全。此外還考察了加入其它反應溶劑， 檸檬酸和聚乙二醇對產物形貌影響。 2. 在抗壞血酸的輔助下，以四水合氯化銦，硒粉220 ?C 下反應20 小時首
次合成出球花多級結構的γ-In Se 。在該體系裏，抗壞血酸同時作為還原劑和吸 2 3
附劑。SEM, TEM 和HRTEM 等結果表明，球花多級結構的γ-In Se 是由六方相 2 3
γ-In Se 納米片組裝而成。詳細的時間追蹤實驗表明，球花多級結構是有普通球 2 3
狀的In Se 通過Ostwald 熟化轉變而來。反應體系中的抗壞血酸的量和氯化銦的 2 3
量對產物形貌的影響也做了仔細的研究。最後通過還通過將產物制備成膜測試了
其電學性質，膜的電導率為2.6 × 10-6 S cm-1 。