[編輯本段]二極管的特點及應用
幾乎在所有的電子電路中，都有半導體二極管的身影，它在許多電路中起著重要的作用，它是誕生最早的半導體器件之壹，其應用十分廣泛。
二極管的應用
1、整流二極管
利用二極管的單向導電性，可將交變方向的交流電轉變為單壹方向的脈動直流電。
2、開關元件
二極管在正向電壓作用下，電阻很小，處於導通狀態，相當於開關導通；在反向電壓作用下，電阻很大，處於截止狀態，相當於開關截止。利用二極管的開關特性，可以組成各種邏輯電路。
3、限幅元件
二極管正向導通後，其正向壓降基本保持不變（矽管為 0.7V，鍺管為 0.3V）。利用這壹特點，作為電路中的限幅元件，可將信號幅度限制在壹定範圍內。
4、繼電器二極管
在電感開關電源和繼電器等感性負載中起繼電器電流的作用。
5、檢波二極管
在收音機中起檢波作用。
6、變容二極管
在電視機的高頻頭中使用。
[編輯]二極管的工作原理
晶體二極管為壹個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界面兩側形成壹個空間電荷層，並自建壹個電場。當沒有外加電壓時，p-n 結處於電平衡狀態，這是因為兩側載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等。當存在正向電壓偏置時，外部電場和自建電場的相互抑制作用會增加載流子的擴散電流，從而產生正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外加電場和自建電場進壹步加強，形成壹定反向電壓範圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0。當外加反向電壓高到壹定程度時，p-n 結空間電荷層的電場強度達到臨界值，載流子倍增過程中產生大量的電子-空穴對，從而產生大量的反向擊穿電流值，稱為二極管的擊穿現象。
[編輯本段]二極管的種類
二極管的種類很多，根據所用半導體材料的不同，可分為鍺二極管（Ge管）和矽二極管（Si管）。按其用途不同，可分為檢測二極管、整流二極管、穩壓二極管、開關二極管、隔離二極管、肖特基二極管、發光二極管等。根據管芯結構，可分為點接觸二極管、面接觸二極管和平面二極管。點接觸二極管是將壹根很細的導線壓在半導體晶片表面，通過脈沖電流，使接觸導線的壹端與晶片牢固地燒結在壹起，形成壹個 "PN 結"。由於是點接觸，只允許通過小電流（不超過幾十毫安），適用於高頻小電流電路，如無線電探測器。面接觸式二極管的 "PN 結 "面積較大，允許通過的電流較大（幾安培到幾十安培），主要用於將交流電轉換成直流電的 "整流 "電路。平面二極管是壹種特殊的矽二極管，它不僅能通過較大的電流，而且性能穩定可靠，多用於開關、脈沖和高頻電路中。
壹、按構造分類
半導體二極管主要依靠 PN 結而工作。與PN結密不可分的是點接觸型和肖特基型，也屬於普通二極管的範疇。包括這兩種類型在內，根據 PN 結構表面的特性，晶體二極管可分為以下幾種：
1、點接觸二極管
點接觸二極管是在鍺或矽材料的單晶體上壓上金屬引腳，然後通過電流法形成的。因此，其 PN 結靜電容量小，適用於高頻電路。但與面結型相比，點接觸型二極管的正向和反向特性較差，因此不能用於大電流和整流。由於其結構簡單，因此價格低廉。對於小信號檢測、整流、調制、混頻和限幅等壹般用途，它是應用廣泛的類型。
2、鍵控二極管
鍵控二極管是在鍺或矽單晶片上熔斷或銀絲形成的。其特點介於點接觸型二極管和合金型二極管之間。與點接觸型相比，雖然鍵合型二極管的 PN 結電容量略有增加，但正向特性特別好。多用於開關，有時也用於檢波和電源整流（不超過 50mA）。在鍵合二極管中，熔金二極管有時也叫金鍵合二極管，熔銀二極管有時也叫銀鍵合二極管。
3、合金二極管
在 N 型鍺或矽單晶上，通過合金銦、鋁等金屬的方法制作，就形成了 PN 結。正向壓降小，適合大電流整流。因其 PN 結反向靜電容量大，所以不適合高頻檢測和高頻整流。
4、擴散二極管
在高溫的 P 型雜質氣體中，加熱 N 型鍺或矽單晶，使單晶表面變成 P 型，以 PN 結的方法。由於 PN 結的正向壓降很小，適用於大電流整流器。最近，使用大電流整流器的主流已從矽合金型轉向矽擴散型。
5、臺式二極管
PN結的制作方法與擴散型相同，不過，只保留PN結及其必要的部分，把不必要的部分用藥物腐蝕掉。然後，PN 結的剩余部分被制成桌面的形狀，因此而得名。在生產的早期階段，臺面型是利用半導體材料的擴散法制成的。因此，這種臺面也被稱為擴散臺面型。對於這種類型，用於大電流整流的型號似乎很少，而用於小電流開關的型號卻很多。
6、平面二極管
在半導體單晶矽片（主要是N型矽單晶片）中，由於P型雜質的擴散，利用氧化矽膜對矽片表面的屏蔽作用，在N型矽單晶片中只選擇性擴散壹部分形成PN結。因此，不需要化學物質的腐蝕作用來調整 PN 結的面積。半導體表面變平，因此得名。此外，PN 結的表面被壹層氧化膜覆蓋，因此被公認為是壹種穩定性好、壽命長的類型。最初，使用的半導體材料是通過外延法形成的，因此平面型也被稱為外延平面型。對於平面型二極管，似乎用於大電流整流的型號很少，而用於小電流開關的型號很多。
7、合金擴散二極管
它是合金型的壹種。合金材料是易於擴散的材料。難於通過巧妙地摻雜雜質而制成的材料，它可以用合金過擴散，以獲得適當濃度分布的雜質在已形成的PN結中。這種方法適用於制作高靈敏度的變容二極管。
8、外延二極管
用外延表面制造 PN 結並形成二極管的過程很長。制造需要非常高的技術水平。由於可以隨意控制不同濃度雜質的分布，因此適合制造高靈敏度變容二極管。
9、肖特基二極管
其基本原理是：在金屬（如鉛）和半導體（N 型矽片）的接觸面上，用肖特基形成的反向電壓來阻斷。肖特基與 PN 結的整流作用原理有本質區別。其耐壓程度僅為 40V 左右。它的特點是：開關速度非常快：反向恢復時間 trr 特別短。因此，可生產開關二極管和低壓大電流整流二極管。
二、按用途分類
1、檢波二極管
從原理上講，從輸入信號中取出調制信號就是檢波，以整流電流的大小（100mA）為界通常小於100mA的輸出電流稱為檢波。鍺材料點接觸型，工作頻率高達 400MHz，正向壓降小，結電容小，檢測效率高，頻率特性好，2AP 型。類似於點接觸型二極管用於檢波，除檢波外，還可用於限幅、削波、調制、混頻、開關等電路。此外，還有兩種特性壹致性較好的二極管組合用於調頻檢波。
2、整流二極管
原理上，輸入交流電經整流後輸出直流電。整流電流的大小（100mA）為界，通常把輸出電流大於 100mA 的稱為整流管。表面結型，工作頻率小於 KHz，最大反向電壓從 25 伏到 3000 伏分為 A ~ X*** 22 個等級。分類如下①矽半導體整流二極管 2CZ 型；②矽橋式整流二極管 QL 型；③用於電視機高壓矽堆的工作頻率近 100KHz 的 2CLG 型。
3、限幅二極管
多數二極管可用作限幅器。也有像保護儀表和高頻齊納管那樣的專用限幅二極管。為了使這些二極管具有特別強的限制尖銳振幅的作用，通常采用矽材料制成二極管。也有這樣的元件出售：根據限制電壓的需要，將壹些必要的整流二極管串聯起來，形成壹個整體。
4、調制二極管
通常指環形調制二極管。即正向特性壹致性好的四個二極管的組合部分。即使其他變容二極管也有調制用途，但它們通常直接用作頻率調制。
5、混頻二極管
采用混頻方式的二極管，在頻率範圍為 500~10,000Hz 時，多采用肖特基型和點接觸型二極管。
6、放大用二極管
放大用二極管，大致依靠隧道二極管和體效二極管等負阻器件的放大，以及可變電容二極管的參量放大。因此，用於放大的二極管通常指隧道二極管、體效應二極管和變容二極管。
7、開關二極管
有在小電流（10mA 度）邏輯運算中使用的開關二極管和在數百毫安的磁芯激勵中使用的開關二極管。小電流開關二極管通常是點接觸型和鍵型二極管，也有在高溫下也可能工作的矽擴散型、表型和平面型二極管。開關二極管的特點是開關速度快。肖特基型二極管的開關時間特別短，因此是理想的開關二極管。2AK 型點接觸用於中速開關電路；2CK 型平面接觸用於高速開關電路；用於開關、限幅、箝位或檢測電路；肖特基（SBD）矽大電流開關，正向壓降小、速度快、效率高。
8、變容二極管
用於自動頻率控制（AFC）和調諧的低功率二極管稱為變容二極管。日本制造商還有許多其他名稱。通過施加反向電壓，PN 結的靜電容量會發生變化。因此，它們可用於自動頻率控制、掃描振蕩、頻率調制和調諧。雖然通常使用矽擴散型二極管，但也可以使用合金擴散型、外延鍵合型、雙擴散型等特殊二極管，因為這些二極管的靜電容量隨電壓的變化率特別大。結電容隨反向電壓VR變化，而不是可變電容，用作調諧電路、振蕩電路、鎖相環，常用於電視機高頻頭的信道轉換和調諧電路，多用矽材料制成。
9、倍頻二極管
用於倍頻效果的二極管，有依靠變容二極管倍頻的倍頻二極管和依靠階躍（即快速變化）二極管倍頻的倍頻二極管。用於頻率倍增的可變電容二極管稱為可變電抗器，雖然可變電抗器的工作原理與用於自動頻率控制的可變電容二極管相同，但電抗器的結構可承受大功率。階躍二極管又稱階躍恢復二極管，從導通切換到關斷時的反向恢復時間 trr 很短，因此具有大幅縮短關斷轉換時間的特長。如果在階躍二極管上施加正弦波形，那麽由於tt（轉移時間）很短，輸出波形會被急劇箝位，因此會產生許多高頻諧波。
10、穩壓二極管
它是取代穩壓電子二極管的產品。它分為矽擴散型和合金型。它是壹種反向擊穿特性曲線急劇變化的二極管。它可用作控制電壓和標準電壓。二極管工作時的端電壓（也稱齊納電壓）可分為多個等級，從 3V 到 150V，間隔為 10%。在功率方面，也有從 200mW 到 100W 以上的產品。工作在反向擊穿狀態時，由矽材料制成的動態電阻 RZ 非常小，壹般為 2CW 型；兩個互補二極管反向串聯以減小溫度系數的是 2DW 型。
11、PIN 型二極管（PIN Diode）
這是壹種在 P 區和 N 區之間夾有壹層本征半導體（或雜質濃度低的半導體）構造的晶體二極管。PIN 中的 I 是 "本征 "含義的英文縮寫。當其工作頻率超過 100MHz 時，由於少數載流子的儲存效應和 "本征 "層的過渡時間效應，二極管失去整流作用而成為阻抗元件，並且，其阻抗值隨偏置電壓而變化。在零偏壓或直流反向偏壓下，"本征 "區的阻抗很高；在直流正向偏壓下，由於載流子註入 "本征 "區，而使 "本征 "區呈現低阻抗狀態。因此，PIN 二極管可用作可變阻抗元件。它常用於高頻開關（即微波開關）、移相、調制、限幅等電路中。
12、雪崩二極管（Avalanche Diode）
它是在外加電壓的作用下能產生高頻振蕩的晶體管。產生高頻振蕩的工作原理是欒：利用雪崩擊穿在晶體上註入載流子，由於載流子需要壹定的時間才能穿過晶圓，因此電流滯後於電壓，延遲了時間，如果適當控制其穿過的時間，那麽，在電流與電壓的關系中就會產生負阻效應，從而產生高頻振蕩。它常用於微波領域的振蕩電路。
13、川崎二極管（隧道二極管）
它是以隧道效應電流為主要電流成分的晶體二極管。它的襯底材料是砷化鎵和鍺。其 P 型區的 N 型區高度摻雜（即雜質濃度高）。隧道電流是由這些簡單合並態半導體的量子力學效應產生的。隧穿發生在以下三個條件下：(i) 費米能級位於傳導帶和全帶；(ii) 空間電荷層的寬度必須非常窄（小於 0.01 微米）；(iii) 簡單半導體的 P 型區和 N 型區的空穴和電子有可能重疊在同壹能級上。艾崎二極管是壹種兩端有源器件。其主要參數是峰谷電流比（IP/PV），其中下標 "P "代表 "峰"，下標 "V "代表 "谷"。Ezaki 二極管可用於低噪聲高頻放大器和高頻振蕩器（工作頻率可達毫米波段）以及高速開關電路。
14、快速關斷（Step Recovary）二極管（Step Recovary Diode）
它也是壹種具有 PN 結的二極管。其結構特點是：在 PN 結邊界有壹個陡峭的雜質分布區，從而形成壹個 "自助電場"。由於 PN 結在正向偏置時，向少數載流子導電，且在 PN 結附近具有電荷儲存效應，因此其反向電流需要經歷壹段 "儲存時間 "才能最小化（反向飽和電流值）。階躍恢復二極管的 "自助場 "縮短了存儲時間，使反向電流迅速切斷，並產生大量諧波分量。這些諧波成分可用於設計梳狀頻譜發生電路。快速關斷（階躍恢復）二極管可用於脈沖和高次諧波電路。
15、肖特基勢壘二極管（Schottky Barrier Diode）
它是壹種具有肖特基特性的 "金屬半導體結 "二極管。其正向啟動電壓較低。金屬層可用金、鉬、鎳、鈦等材料制成。其半導體材料采用矽或砷化鎵，多為 N 型半導體。這種器件是由多數載流子傳導的，因此其反向飽和電流遠大於由少數載流子傳導的 PN 結。由於肖特基二極管中少數載流子的存儲效應很小，所以其頻率只有 RC 時間常數的限制，因此是高頻快速開關的理想器件。而且，MIS（金屬-絕緣體-半導體）肖特基二極管可用於制造太陽能電池或發光二極管。
16、阻尼二極管
具有很高的反向工作電壓和峰值電流，正向壓降很小，是高頻高壓整流二極管，在電視機行掃描電路中用於阻尼和升壓整流。
17、瞬態電壓抑制二極管
TVP管，對電路進行快速過壓保護，分雙極型和單極型兩種，按峰值功率（500W-5000W）和電壓（8.2V～200V）分類。
18、雙基極二極管（單結晶體管）
兩基極、壹發射極的三端負阻器件，用於張力振蕩電路、定時電壓讀出電路，它具有頻率調節方便、溫度穩定等優點。
19、發光二極管
采用磷化鎵、磷砷化鎵材料制成，體積小，正向驅動發光。工作電壓低，工作電流小，發光均勻，壽命長，可發出紅、黃、綠單色光。
三、按特性分類
點接觸二極管，按正反特性分類如下。
1、普通點接觸二極管
這種二極管，正如題目所說，通常用在檢波電路和整流電路中，是正反向特性既不是特別好，也不是特別差的中間產品。例如，SD34、SD46、1N34A 等都屬於這壹類。
2、高反向電壓點接觸二極管
最大反向電壓峰值和最大直流反向電壓都很高。它們用於檢測和整流高壓電路。這類二極管的正向特性壹般較差或壹般。在點接觸鍺二極管中，有 SD38、1N38A、OA81 等。這種鍺材料二極管，其耐壓是有限的。要求較高的有矽合金型和擴散型。
3、高反向電阻點接觸二極管
正向耐壓特性與壹般二極管相同。雖然反向耐壓也特別高，但反向電流很小，所以它的特長是高反向電阻。這類二極管主要用於高輸入電阻的電路和高負載電阻的電路，屬於鍺高反向電阻二極管，如 SD54 和 1N54A。
4、高導點接觸二極管
它與高反向電阻型相反。它的反向特性很差，但正向電阻變得足夠小。高導點接觸型二極管有 SD56、1N56A 等。對於高導通鍵合型二極管，可以獲得更好的特性。這類二極管的負載電阻特別低，整流效率高。
[編輯]二極管的導電特性
二極管最重要的特性是單向導電性。在電路中，電流只能從二極管的正極流入，從負極流出。下面的簡單實驗說明了二極管的正向和反向特性。
1.正向特性。
在電子電路中，二極管的正極接高電位端，負極接低電位端，二極管就會導通，這種連接方式，稱為正向偏置。必須註意的是，當加到二極管兩端的正向電壓很小時，二極管仍然不能導通，流過二極管的正向電流很弱。只有當正向電壓達到壹定值時（此值稱為 "閾值電壓"，鍺管約為 0.2V，矽管約為 0.6V），二極管才能直正向導通。導通後，二極管兩端電壓基本不變（鍺管約為 0.3V，矽管約為 0.7V），稱為二極管的 "正向壓降"。
2.反向特性。
在電子電路中，二極管的正極接低電位端，負極接高電位端，此時二極管幾乎沒有電流流過，二極管處於截止狀態，這種連接方式稱為反向偏置。當二極管處於反向偏置時，仍會有微弱的反向電流流過二極管，稱為漏電流。當二極管兩端的反向電壓增加到壹定值時，反向電流將急劇增加，二極管將失去單向導電特性，這種狀態稱為二極管擊穿。
[編輯本段]二極管的主要參數
用來表示二極管性能和適用範圍的技術指標，稱為二極管的參數。不同類型的二極管具有不同的特性參數。對於初學者來說，必須了解以下主要參數：
1、整流最大電流
指二極管長期連續工作時允許通過的最大正向電流值，該值與PN結的面積和外部散熱條件等有關。因為電流通過管子會使管芯發熱，溫度升高，溫度超過允許極限（矽管為 140 左右，鍺管為 90 左右），就會使管芯過熱而損壞。所以在規定的散熱條件下，二極管的使用不要超過二極管的最大整流電流值。例如，常用的 IN4001-4007 鍺二極管的額定正向工作電流為 1A。
2、最高反向工作電壓
加在二極管兩端的反向電壓高到壹定值時，就會將管子擊穿，失去單向導電性能。為了確保使用安全，最大反向工作電壓值。例如，IN4001 二極管的反向耐壓為 50V，IN4007 的反向耐壓為 1000V。
3、反向電流
反向電流是指二極管在規定溫度和最高反向電壓作用下，流過二極管的反向電流。反向電流越小，電子管的單向導電性越好。值得註意的是，反向電流與溫度有密切關系，溫度每升高 10℃左右，反向電流就增加壹倍。例如，2AP1 型鍺二極管，在 25℃時反向電流若為 250uA，溫度上升到 35℃時，反向電流將上升到 500uA，依此類推，在 75℃時，其反向電流已達 8mA，不僅失去單向導電性，還會因過熱而損壞管子。又如，2CP10 型矽二極管，25℃ 時反向電流僅為 5uA，溫度升至 75℃時，反向電流僅為 160uA。因此，矽二極管比鍺二極管在高溫下具有更好的穩定性。
4、最高工作頻率
二極管的上限頻率。超過這個值時，由於結電容的作用，二極管將不能很好地體現單向導電性。
[編輯]半導體二極管參數符號及其意義
CT----勢壘電容
Cj----結（極間）電容，表示在二極管兩端的指定偏壓、鍺檢波二極管的總電容
Cjv--偏置結電容
Co--零偏置電容
Cjo--零偏置結電容
Cjo/Cjn--結電容變化
Cs--外殼電容或封裝電容
Ct--總電容
CTV--電壓溫度系數。在測試電流下，穩定電壓的相對變化與環境溫度的絕對變化之比
CTC --- 電容溫度系數
Cvn --- 標稱電容
IF --- 正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極管在規定的正向電壓 VF 下，極間通過的電流；矽整流、矽疊層在規定的使用條件下，在正弦半波允許通過的最大連續工作電流（平均值），矽開關二極管在額定功率允許通過的最大正向直流電流；測量穩壓二極管正向電參數時給出的電流
IF (AV) --- 正向平均電流
IFM (IM) --- 正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發光二極管的極限電流。
IH - 恒定電流，維持電流。
Ii - 發光二極管輝光電流
IFRM - 正向重復峰值電流
IFSM - 正向非重復峰值電流（浪湧電流）
Io - 整流器電流。特定線路在特定頻率和特定電壓下通過的工作電流
IF(ov)--- 前向過載電流
IL --- 光電流或穩流二極管極限電流
ID --- 暗電流
IFM --- 前向非再充電峰值電流（浪湧電流）
Io --- 整流器電流。暗電流
IB2--單結晶體管中的基極調制電流
IEM--發射極峰值電流
IEB10--雙基極單結晶體管中發射極和第壹基極之間的反向電流
IEB20--雙基極單結晶體管中發射極到電流
ICM--最大輸出平均電流
IFMP--正向脈沖電流
IP--峰值點電流
IV--谷點電流
IGT---晶閘管控制極觸發電流
IGD---晶閘管控制極不觸發電流
IGFM---控制極正向峰值電流
IR (AV)---反向平均電流
IR (In)---反向直流電流（反向泄漏電流）。在測量反向特性時，給出反向電流；矽堆在正弦半波電阻負載電路中，加上反向電壓規定值時，電流通過；矽開關二極管兩端加上反向工作電壓 VR 時，電流通過；穩壓二極管在反向電壓下，產生漏電流；整流器在正弦半波最高反向工作電壓下產生漏電流。
IRM --- 反向峰值電流
IRR --- 晶閘管反向重復平均電流
IDR --- 晶閘管關態平均重復電流
IRRM --- 反向重復峰值電流
IRSM --- 反向不可重復峰值電流（反向沖擊電流）
Irp --- 反向恢復電流
Iz --- 穩壓電流（反向測試電流）。測試反向電氣參數時給出的反向電流
Izk --- 穩壓器膝點電流
IOM --- 最大正向（整流器）電流。在指定條件下可承受的最大正向瞬時電流；在帶電阻負載的正弦半波整流電路中，允許連續通過鍺檢波二極管的最大工作電流
IZSM--穩壓器二極管浪湧電流
IZM--最大穩壓器電流。最大功率耗散時允許通過穩壓二極管的電流
iF --- 總正向瞬態電流
iR --- 總反向瞬態電流
ir --- 反向恢復電流
Iop --- 工作電流
Is --- 穩壓二極管穩定電流
f --- 頻率
n---- 電容變化指數；電容比
Q----優越值（品質因數）
δvz--穩壓器的電壓漂移
di/dt--導通電流的臨界上升率
dv/dt--導通電壓的臨界上升率
PB--承受脈沖燒毀的功率
p> PFT (AV) --正向傳導耗散的平均功率
PFTM --峰值正向功率耗散
PFTM --峰值正向功率耗散
PFTM --峰值正向功率耗散
PFTM --峰值正向功率耗散
PFTM峰值正向功率耗散
PFT -- 正向傳導中的總瞬時功率耗散
Pd -- 功率耗散
PG -- 柵極平均功率
PGM -- 柵極峰值功率
PC -- 控制極平均功率或集電極功率耗散
Pi -- 輸入功率
PK -- 最大開關功率
PM -- 額定功率。矽二極管在結溫不高於 150 度時可承受的最大功率
PMP -- 最大錯過脈沖功率
PMS -- 最大承受脈沖功率
Po -- 輸出功率
PR -- 反向浪湧功率
Pi -- 輸入功率
PK -- 最大開關功率
PM -- 額定功率。反向浪湧功率
Ptot - 總功率耗散
Pomax- -- 最大輸出功率
Psc -- 連續輸出功率
PSM -- 非重復浪湧功率
PZM -- 最大耗散功率。穩壓二極管在給定使用條件下允許承受的最大功率
RF(r) -- 正向差分電阻。在正向傳導過程中，電流隨電壓呈指數增長，並表現出顯著的非線性特性。在壹定的正向電壓下，電壓增加壹個微量△V，正向電流相應增加△I、那麽△V/△I 就被稱為差分電阻
RBB---- 雙基極晶體管的基極到基極電阻
RE--射頻電阻
RL--負載電阻
RL--負載電阻負載電阻
Rs(rs)---- 系列電阻
Rth- -- 熱電阻
R(th)ja---- 結至環境電阻
Rz(ru) -- 動態電阻
R(th)jc - -- 結至外殼電阻
Rz(ru)-- 結至外殼
r δ -- 衰減電阻
r(th) -- 瞬態電阻
Ta -- 環境溫度
Tc--外殼溫度
td--延遲時間
tf--下降時間
tfr--前向恢復時間
tg--電路換向關斷時間
tgt--柵極控制極開啟時間
Tj---結溫
Tjm--最高結溫
ton--導通時間
toff--關斷時間
tr--上升時間
trr--反向恢復時間
ts--存儲時間
tstg--溫度補償二極管的存儲溫度
a--溫度系數
λp---發光峰值波長
Δ λ----光譜半寬
η----單結晶體管分壓比或效率
VB--反向峰值擊穿電壓
Vc--整流輸入電壓
VB2B1--基極間電壓
VBE10--發射極至第壹基極反向電壓
VEB--飽和壓降
VFM--最大正向壓降（正向峰值電壓）
VF --- 正向壓降（正向直流電壓）
△VF --- 正向壓降差
VDRM --- 斷態重復峰值電壓
VGT --- 柵極觸發電壓
VGD --- 柵極非觸發電壓
VGFM --- 柵極正向峰值電壓
VGRM ---柵極反向峰值電壓
VF(AV) -- 正向平均電壓
Vo -- 交流輸入電壓
VOM -- 最大輸出平均電壓
Vop--工作電壓
Vn--中心電壓
Vp--峰值點電壓
VR--反向工作電壓（反向直流電壓）
VRM--反向峰值電壓（最大測試電壓）
V(BR)---擊穿電壓
p> Vth--閥電壓（閾值電壓）
VRRM--反向重復峰值電壓（反向浪湧電壓）
VRWM--反向操作峰值電壓
V v--谷值電壓
Vz--穩定電壓
ΔVz--調節範圍電壓增量
Vs ----穩壓器的通過電壓（信號電壓）或穩定電流電壓
av --- 電壓溫度系數
Vk --- 膝點電壓（穩壓二極管）
VL --- 限幅電壓
[編輯]二極管標識
小功率二極管的 N 極（負極）在二極管外部用彩色圓圈標記、其中壹些二極管的外部用彩色圓圈標出。使用彩色圓圈標註出來，有些二極管還使用二極管專用符號來表示 P 極（正極）或 N 極（負極），也有符號標註為 "P"、"N "來確定二極管的極性。發光二極管的正負極可以從引腳長度來識別，長腳為正極，短腳為負極。用數字萬用表測量二極管時，紅表筆接二極管的正極，黑表筆接二極管的負極，測得的電阻就是二極管的正極導通電阻，這正好與萬用表指針表筆的接法相反。