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人工晶體的形成機理

溶液中Si浴度和摻雜劑(M3+,M″+)對樂靜正負三聚體形成的影響。正三聚體是在溶液中Si Ba過飽和的條件下形成的,負三聚體的曝光與溶液中的摻雜(M3幹,m”)有關。各族晶面上正負三角面的曝光特征:①(0001)面:正三角面為三角金字塔結構,負三角面為三角金字塔結構。②生長在+x (1120)面上的斜紋組織是壹個菱形的兩個錐面的相交軌跡。隨著生長溶液質量(m,x,mz’)的增加,‘生長線’的取向也相應改變,可以從正菱形變為負菱形。③壹個X (11)面:在摻雜(m”,10000+)的溶液中生長時容易形成巴西孿晶,孿晶的分布取向表現出負三角面的結構特征。由於摻雜質量的提高,生長元素疊加在這個表面時會發生反轉,使負極表面轉變為正極表面。
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